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  • HVUα-2000J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    HVUα-2000J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓( BIAS VOLTAGE ),經(jīng)過長時(shí)間的測(cè)試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生( ION MIGRATION ),并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn),我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。
    更新時(shí)間:2024-10-17    訪問量:2704    型號(hào):HVUα-2000
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  • HVUα-1000V日本J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    HVUα-1000V日本J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF)
    日本J-RAS離子遷移試驗(yàn)裝置(CAF) CAF試驗(yàn)/CAF測(cè)試是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓( BIAS VOLTAGE ),經(jīng)過長時(shí)間的測(cè)試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生( ION MIGRATION ),并記錄電阻值變化狀況,故又叫做 CAF 試驗(yàn),絕緣阻力電阻試驗(yàn),或者是 OPEN/SHORT 試驗(yàn),我們將其統(tǒng)稱為絕緣劣化試驗(yàn)。
    更新時(shí)間:2024-10-14    訪問量:31602    型號(hào):HVUα-1000V
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  • HVUα_3000V3000V離子遷移試驗(yàn)裝置
    HVUα_3000V3000V離子遷移試驗(yàn)裝置
    3000V離子遷移試驗(yàn)裝置是一種信賴性試驗(yàn)設(shè)備,原理為印刷電路板上給予一固定的直流電壓( BIAS VOLTAGE ),經(jīng)過長時(shí)間的測(cè)試(1 ~1000 小時(shí))并觀察線路是否有瞬間短路的現(xiàn)象發(fā)生( ION MIGRATION ), 并記錄電阻值變化狀況。在高溫高濕條件下,對(duì)電子零部件以及印刷電路板的絕緣部分測(cè)試電阻值,也能夠進(jìn)行高效率的絕緣可靠性評(píng)估。$n適用規(guī)格 : JPCA- - ET01-
    更新時(shí)間:2024-05-14    訪問量:1392    型號(hào):HVUα_3000V
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